温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
P6402FMG-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 应用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- P6402FMG-JSM
- 商品编号
- C18192577
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- -30V/-4.3A,RDS(ON) = 44mΩ(典型值)@ VGS = -10V
- -30V/-3.5A,RDS(ON) = 50mΩ(典型值)@VGS=-4.5V
- -30V/-2.5A,RDS(ON) = 65mΩ(典型值)@ VGS = -2.5V
- 专为极低RDS(ON)设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23 - 3封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器