温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CEU6060R-JSM
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
- 描述
- 适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- CEU6060R-JSM
- 商品编号
- C18192552
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
MT4607采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 8.0A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 22mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 31mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -40V，漏极电流ID = -7.0A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 35mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 48mΩ
- 高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
相似推荐
其他推荐