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BUK9214-30A-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- 便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BUK9214-30A-JSM
- 商品编号
- C18192567
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品概述
ME2325是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺特别针对降低导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低线路功率损耗的场景。
商品特性
- -30V/-4.3A，RDS(ON) = 44mΩ（典型值）@ VGS = -10V
- -30V/-3.5A，RDS(ON) = 50mΩ（典型值）@ VGS = -4.5V
- -30V/-2.5A，RDS(ON) = 65mΩ（典型值）@ VGS = -2.5V
- 为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器