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MLD1N06CLT4G-JSM实物图
  • MLD1N06CLT4G-JSM商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MLD1N06CLT4G-JSM

1个N沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
MLD1N06CLT4G-JSM
商品编号
C18192632
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V,5A
耗散功率(Pd)31W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20.3nC@10V
输入电容(Ciss)1.15nF
反向传输电容(Crss)45.3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)55pF

数据手册PDF

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