SQ4284EY-T1-GE3-JSM
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.3A
- 描述
- 适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用,提供低导通电阻和出色的性能表现,是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SQ4284EY-T1-GE3-JSM
- 商品编号
- C18192683
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,6.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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