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SQ2315ES-T1-GE3-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SQ2315ES-T1-GE3-JSM
- 商品编号
- C18192738
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@2.5V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 30A，在栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 30mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好
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