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FQD10N20CTM-JSM实物图
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FQD10N20CTM-JSM

耐压:200V 电流:9A

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描述
N沟道 耐压:200V 电流:9A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,4.5A
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
FQD10N20CTM-JSM
商品编号
C18192414
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.391克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V,4.5A
耗散功率(Pd)74W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)605pF
反向传输电容(Crss)37pF
工作温度-55℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)87pF

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