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RSD080N06-JSM
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
- 描述
- 适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- RSD080N06-JSM
- 商品编号
- C18192459
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60V, ID = 20A, RDS(ON) < 36mΩ \cdot @VGS = 10V
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的优质封装。
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