温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTD60N03T4-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NTD60N03T4-JSM
- 商品编号
- C18192429
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
SI4900DY-T1-E3是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 80A,当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 5.5mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器
相似推荐
其他推荐
- Si2329DS-T1-GE3-JSM
- HUF75329D3ST-JSM
- SUD06N10-255L-T1-E3-JSM
- ACE2301BBM+H-JSM
- PA610AD-JSM
- FW313-TL-E-JSM
- FQD25N06-JSM
- FDD5690-JSM
- CEM3120-JSM
- FDS6680AS-NL-JSM
- FDS4410A-NL-JSM
- RSD080N06-JSM
- 2N06L35-JSM
- NTD32N06LG-JSM
- IPD30N06S2-23-JSM
- BUK9277-55A-JSM
- SPN2318S23RGB-JSM
- BUK92150-55A-JSM
- MT4607-JSM
- P2103NVG-JSM
- FDS8958A-NL-JSM