立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/FPC/SMT工业品面板免费打样
立创商城logo
购物车0
Si2329DS-T1-GE3-JSM引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

Si2329DS-T1-GE3-JSM

1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
Si2329DS-T1-GE3-JSM
商品编号
C18192433
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.057克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on))110mΩ@1.5V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)989pF
反向传输电容(Crss)75.5pF
工作温度-
类型P沟道
输出电容(Coss)167pF

商品概述

Si2329DS-T1-GE3是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,并且在超小外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

商品特性

  • -20V / -4.3A,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)@VGS = -4.5V
  • -20V / -3.5A,RDS(ON) = 40mΩ(典型值)@VGS = -2.5V
  • -20V / -2.0A,RDS(ON) = 56mΩ(典型值)@VGS = -1.8V
  • -20V / -1.0A,RDS(ON) = 85mΩ(典型值)@VGS = -1.5V
  • 专为极低RDS(ON)而设计
  • 出色的导通电阻和最大直流电流能力
  • 完全符合RoHS标准
  • SOT23-3封装设计
  • P沟道

应用领域

-电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器

数据手册PDF

放大查看下载PDF