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9435
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A
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- 描述
- 9435采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- 9435
- 商品编号
- C181098
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.193克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端结构，在不随时间降低性能的前提下，增强了耐压能力。此外，这款先进的MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求苛刻的桥接电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压终端结构
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管经过特性表征，适用于桥接电路
- 规定高温下的漏源泄漏电流（IDSS）和漏源导通电压（VDS(ON)）
- 隔离安装孔减少安装硬件