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9926A
N沟道增强型功率MOSFET 2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 特性：漏源电压（VDS）：20V。 漏极电流（ID）：7A。 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）: -VGS = 4.5V时，< 26mΩ。 -VGS = 2.5V时，< 33mΩ。 -VGS = 1.8V时，< 42mΩ
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- 9926A
- 商品编号
- C181101
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.193克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@1.8V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品特性
- 漏源电压（V） = 20V
- 漏极电流 = 7A
- 导通电阻 < 26mΩ（栅源电压 = 4.5V）
- 导通电阻 < 33mΩ（栅源电压 = 2.5V）
- 导通电阻 < 42mΩ（栅源电压 = 1.8V）