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ZXGD3005E6TA实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXGD3005E6TA

ZXGD3005E6TA

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描述
ZXGD3005E6是一款高速同相单栅极驱动器,能够在最高25V的电源电压下,向MOSFET或IGBT的栅极电容性负载提供高达10A的驱动电流。其传播延迟时间低至<10ns,相应的上升/下降时间<20ns。该栅极驱动器可确保MOSFET或IGBT快速开关,以最大限度减少大电流开关应用中的功率损耗和失真
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXGD3005E6TA
商品编号
C177098
商品封装
SOT-26​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)6.4A
拉电流(IOH)4A
属性参数值
工作电压25V
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)35ns
传播延迟 tpLH8ns
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
静态电流(Iq)50nA

商品概述

ZXGD3005E6是一款高速同相单栅极驱动器,能够在最高25V的电源电压下,向MOSFET或IGBT栅极电容性负载提供高达10A的驱动电流。其传播延迟时间低至<10ns,相应的上升/下降时间<20ns。 该栅极驱动器可确保MOSFET或IGBT快速开关,以最大限度减少大电流开关应用中的功率损耗和失真。它非常适合在控制器IC通常较高的输出阻抗与功率MOSFET或IGBT开关时栅极的有效低阻抗之间充当电压缓冲器。其低输入电压要求和高电流增益允许低压控制器IC实现大电流驱动。 ZXGD3005E6具有独立的源极和漏极输出,可独立控制MOSFET或IGBT的导通和关断时间。此外,较宽的电源电压范围可使MOSFET或IGBT充分导通,以最大限度减少导通损耗,并允许+15V至 -5V的栅极驱动电压,防止dV/dt引起IGBT误触发。ZXGD3005E6在设计上具有很强的抗闩锁和直通问题的能力。经过优化引脚排列的SOT26封装便于电路板布局,可降低走线的寄生电感。

商品特性

  • 射极跟随器配置,实现超快速开关
  • 传播延迟时间<10ns
  • 上升/下降时间<20ns
  • 同相电压缓冲级
  • 高达25V的宽电源电压,以最大限度减少导通损耗
  • 可向电容性负载提供10A的峰值电流驱动
  • 输入电流低至1mA,可输出4A电流
  • 独立的源极和漏极输出,可独立控制上升和下降时间
  • 优化的引脚排列,便于电路板布局并最大限度减少走线的寄生电感
  • 坚固的设计,避免闩锁或直通问题
  • 近乎零静态电源电流
  • “无铅”,符合RoHS标准
  • “绿色”器件
  • 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性

应用领域

  • 同步开关模式电源
  • 电源中的功率因数校正(PFC)
  • 次级侧同步整流
  • 等离子显示面板电源模块
  • 一相、二相和三相电机控制电路
  • 音频开关放大器功率输出级
  • 太阳能逆变器

数据手册PDF