1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:700mA 电流:1.03A
- 5+: ¥0.367893 / 个
- 2500+: ¥0.270001 / 个 (折合1圆盘810元)
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¥0.367893 / 个 |
2500+: |
¥0.270001 / 个 (折合1圆盘810元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 1.03A;700mA | |
功率(Pd) | 450mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 480mΩ@200mA,5V | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 500pC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 37.1pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |