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DMP2010UFV-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP2010UFV-7

1个P沟道 耐压:20V 电流:50A

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描述
此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMP2010UFV-7
商品编号
C177036
商品封装
PowerDI3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.106克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@2.5V,3.6A
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)103nC@10V
输入电容(Ciss)3.35nF
反向传输电容(Crss)460pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)527pF

数据手册PDF

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(2000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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