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DMN2005DLP4K-7
2个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2005DLP4K-7
- 商品编号
- C177031
- 商品封装
- X2-DFN1310-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
-超薄封装-低导通电阻-极低的栅极阈值电压,最大0.9V-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件