商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 483W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 200A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 12nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 高速IGBT 5
- 低压降
- 低尾电流
- 开关频率高达100 kHz
- 低泄漏电流
- 极低的杂散电感
- 内置用于温度监测的热敏电阻
应用领域
焊接转换器、开关模式电源、不间断电源、电机控制
- DCMME-13W6P
- SIT8208AI-22-33E-28.636300
- 660-001M22
- C431PD1
- SXO75C3C481-48.000M
- SIT8208AI-21-25S-33.300000
- GEN4-IOD-28T
- VS-P103
- SIT1602BC-23-28E-38.000000
- MTI-670-DK
- 3136-1-00-01-00-00-08-0
- VN0201600281C
- 25QHM572C0.5-3.6846
- FTLX8574D3BCV-IT-C
- 5-641220-3
- SIT8208AC-32-25S-27.000000
- 660-023M25F9-09
- SXO53C3C161-25.000M
- SIT1602BC-81-33S-77.760000
- 3QHM53D1.0-65.500
- AMPMGFB-8.0000

