商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 3.15nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
建议在引脚31和2之间连接去耦电容，以减少开关过电压，前提是直流电源连接在引脚15、16和12之间。引脚15和16必须短接在一起。
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT3技术
- 低压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20kHz
- 低漏电流
- 反向偏置安全工作区（RBSOA）和短路安全工作区（SCSOA）额定
- 开尔文发射极便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻用于温度监测
应用领域
电机控制
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