IS43TR16512S2DL-125KBLI
512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM
- 描述
- 512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM,支持标准电压1.5V和低电压1.35V,刷新间隔为7.8us(8192周期/64ms)在-40°C到85°C范围内,高速数据传输速率高达933MHz,8个内部bank支持并发操作,异步复位引脚,8位预取架构,支持可编程CAS延迟,动态ODT,可编程附加延迟0, CL-1, CL-2,支持写入均衡,可编程突发长度4和8,支持突发截断。
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS43TR16512S2DL-125KBLI
- 商品编号
- C17672218
- 商品封装
- LWBGA-96(9x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.133333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 800MHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 145mA | |
| 刷新电流 | 48mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;动态片上端接;数据掩码功能 |
- IS43TR82560DL-125KBL-TR
- IS43R16160D-6BL
- SI5338C-B01327-GMR
- SI5338M-B09714-GM
- SI5338C-B14647-GMR
- SI5338N-B14551-GMR
- SI5338B-B07977-GM
- SI5338A-B12962-GMR
- SI5338Q-B02914-GM
- S27KL0643DPBHA023
- AS4C8M32MD2A-25BCNTR
- S80KS5122GABHB023
- EM6GC08EWUG-10IH
- SI5338A-B02799-GM
- NDS36PT5-20IT TR
- SI5338N-B13462-GMR
- NLQ83PFS-8NAT
- W9864G2JB-6I
- 9ZXL1550DKILFT
- NDS36PT5-16ET TR
- S70KS1282GABHM020


