W9864G2JB-6I
4M x 4 Banks x 16 Bits SDRAM
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W9864G2JB-6I
- 商品编号
- C17672241
- 商品封装
- TFBGA-90(8x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.926克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 功能特性 | 自动预充电；自动刷新；自动列地址生成 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织形式为4M字×4个存储体×16位。W9825G6KH的数据带宽高达每秒2亿字。为完全符合个人计算机行业标准，W9825G6KH分为以下速度等级：-5、-5I、-6、-6I、-6J、-6L、-75、75J和75L。-5/-5I等级的部件符合200MHz/CL3规范（-5I工业级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 85°C）。-6/-6I/-6J/-6L等级的部件符合166MHz/CL3规范（-6I工业级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 85°C，-6J工业增强级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 105°C）。-75/75J/75L等级的部件符合133MHz/CL3规范（75J工业增强级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 105°C）。-6L和75L等级的部件支持自刷新电流IDD6最大值为1.5mA。对SDRAM的访问是突发式的。当通过激活命令选择一个存储体和行时，一页内的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问。在突发操作中，列地址由SDRAM内部计数器自动生成。通过在每个时钟周期提供其地址，也可以进行随机列读取。多存储体特性使内部存储体之间能够进行交错操作，以隐藏预充电时间。通过可编程模式寄存器，系统可以更改突发长度、延迟周期、交错或顺序突发，以最大化其性能。W9825G6KH非常适合用于高性能应用的主存储器。
商品特性
- 3.3V ± 0.3V电源供电
- 高达200MHz时钟频率
- 4,194,304字×4个存储体×16位组织形式
- 自刷新模式：标准和低功耗
- CAS延迟：2和3
- 突发长度：1、2、4、8和整页
- 突发读取、单写入模式
- 字节数据由LDQM、UDQM控制
- 掉电模式
- 自动预充电和可控预充电
- 8K刷新周期/64ms，@ -40°C ≤ TA ≤ 85°C
- 8K刷新周期/16ms，@ 85°C < TA ≤ 105°C
- 接口：LVTTL
- 采用TSOP II 54引脚、400密耳 - 0.80封装，使用符合RoHS标准的无铅材料