- 引脚图
- 焊盘图
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APT30GP60BG
APT30GP60BG
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT30GP60BG
- 商品编号
- C17639543
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 463W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 13ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 55ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
新一代高压功率IGBT。采用穿通技术和专有金属栅极，该IGBT针对非常快速的开关进行了优化，使其非常适合高频、高压开关模式电源和对尾电流敏感的应用。在许多情况下，POWER MOS 7 IGBT为功率MOSFET提供了一种低成本的替代方案。
商品特性
- 低传导损耗
- 400V、37A时可实现100kHz运行
- 低栅极电荷
- 200~200kHz运行（400V、24A）
- 超快尾电流关断
- 具有SSOA额定值
- XUM526148.351650I
- 630-2W2-640-7NB
- SIT9365AI-1E2-28E153.600000
- BAV99S-AU_R1_000A1
- 3121-2-00-15-00-00-08-0
- BW40-18
- 630-2WK2650-3T4
- 4302R-273F
- GCM2165G1H162GA16D
- SXO75P3C161-150.000M
- PS-50PE-D4LT2-SM1AE
- 628-M15-321-LT6
- CTDS5022PF-105
- ZST-120-09-G-D-750
- MS3437A52N
- SIT1602BC-83-33S-14.000000
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- 7-147324-0
- SIT8209AC-23-28E-100.000000
- 500-008B1R1GJ
- XEGACY-H2-0000-000-000000S5001