商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 552mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 715pF |
商品特性
- 功率 MOS 8 快速 FREDFET 器件
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 雪崩能量额定值
- 非常坚固耐用
- 极低杂散电感
- 开尔文源极,便于驱动
- 内置热敏电阻,用于温度监测
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制