- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APTM20TAM16FPG
6个N沟道 耐压:200V 电流:104A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTM20TAM16FPG
- 商品编号
- C17627592
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 104A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 三相桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.33nF |
商品概述
NTE2386功率MOSFET具有电压控制、开关速度极快、易于并联和温度稳定性好等优点，适用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和高能脉冲电路等应用。
商品特性
-功率MOS快恢复外延二极管场效应晶体管(FREDFET)-低导通电阻(Rdson)-低输入电容和米勒电容-低栅极电荷-快速本征反向二极管-额定雪崩能量-非常耐用-开尔文源极,便于驱动-极低杂散电感-对称设计-用于电源连接的引线框架-高度集成
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
- 1776313-3
- AFBR-734SMZ-C
- RC1005J301CS
- SDCH1V8040-100M-R
- SBH51-LPSE-D37-SP-BK
- SIT1602BC-11-XXN-24.000000
- RCS1005J910CS
- SIT1602BC-81-XXS-66.660000
- SIT8208AI-GF-33S-3.570000T
- 09670008256
- R7000203XXUA
- FFM.0B.130.LN
- 0026606092
- SIT8008BI-22-33S-24.476000
- SIT8209AI-22-25S-133.333300
- XPGBWT-BE-0000-00K50
- VOS615A-3T
- SG-8018CE 37.4000M-TJHSA0
- 3080-0-01-15-00-00-03-0
- SG-8018CA 49.8701M-TJHSA0
- HTSS-110-01-L-DV-A-P-TR