商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 781W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8nF |
商品概述
NPT2010是一款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）通用放大器，针对直流至2.2 GHz的工作频率进行了优化。该器件支持连续波（CW）、脉冲和线性工作模式，在带有螺栓固定法兰的行业标准金属陶瓷封装中，输出功率可达100 W（50 dBm）。
商品特性
- 功率 MOS 7 型快速恢复外延二极管场效应晶体管(FREDFET)
- 低导通电阻(RDson)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 额定雪崩能量
- 坚固耐用
- 开尔文源极,易于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接的引线框架
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 高度集成
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源
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