- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 170V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 375pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
VRF151是一款镀金硅n沟道射频功率晶体管,专为需要高功率和增益,同时不牺牲可靠性、耐用性或互调失真的宽带商业应用而设计。
商品特性
- 增强耐用性,V(BR)DSS = 170 V
- 在30MHz、50V条件下,输出功率150W,典型增益22dB
- 在175MHz、50V条件下,输出功率150W,典型增益14dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 提供配对产品
- 在指定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)能力达70:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 难熔金金属化
- 可替代MRF151高压器件
- 符合RoHS标准
应用领域
- 宽带商业应用
- RS1J-M3/5AT
- 630-36W4240-1TA
- SG-8018CE 31.0025M-TJHPA0
- SIT8208AI-81-18E-60.000000
- SG-8018CB 145.8000M-TJHSA0
- XPEBWT-01-0000-00EC3
- MS9RM1GE00
- GP55-8660-FTW
- HI5806IB
- DT50-P1123
- TST03AH00
- DDPV50S565GTLF
- SIT8208AI-81-18E-38.400000
- SDCHA1V6045-3R6-R
- SIT1602BC-71-33N-24.000000
- SIT8208AI-2F-33E-33.333000Y
- SIT8924BA-13-33S-4.000000
- SG-8018CB 111.154120M-TJHSA0
- SFH210-PPKC-D10-ID-BK-M181
- 531FC250M000DGR
- SG-8018CE 75.7500M-TJHPA0