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SQJ560EP-T1_GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ560EP-T1_GE3
- 商品编号
- C17610211
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 107.2mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.205nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品概述
一款适用于广播发射机和工业应用的160W LDMOS射频功率晶体管。该晶体管适用于高频至1500 MHz的频率范围。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字应用。
商品特性
- 集成静电放电保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效率
- 卓越的可靠性
- 易于进行功率控制
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 高频至1500 MHz频率范围内的通信发射机应用
- 高频至1500 MHz频率范围内的工业应用
- 单产品多尔蒂应用