温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ560EP-T1_GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ560EP-T1_GE3
- 商品编号
- C17610211
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 107.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.205nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
商品概述
一款适用于广播发射机和工业应用的160W LDMOS射频功率晶体管。该晶体管适用于高频至1500 MHz的频率范围。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字应用。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 高频至1500 MHz频率范围内的通信发射机应用
- 高频至1500 MHz频率范围内的工业应用
- 单产品多尔蒂应用
- SIT8256AI-G1-25S-156.257812T
- SPMWHT32BMD5YBRKS0
- SG-8018CE 134.4000M-TJHPA0
- SPCM-800-31
- AWVF004040154R7M00
- EVK-M8T-0
- HIF3BAG-16PA-2.54DSA(63)
- VPDD501G221J1GV001E
- 630-17W2640-5NB
- 64991-G05-4LF
- SG-8018CE 6.5400M-TJHSA0
- SI82398AD-AS
- SG-8018CG 14.3000M-TJHPA0
- 628-3W3-224-4NB
- 622-M25-260-BT1
- TFM-125-12-S-D-LC-K-TR
- MHR-34-HUAL
- XREWHT-L1-R250-005E8
- XREWHT-L1-0000-00A08
- 570NAA000759DGR
- MHBAWT-0000-000C0BE265E