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SISF20DN-T1-GE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:52A 电流:14A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISF20DN-T1-GE3
- 商品编号
- C17613858
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 69.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 源极到源极导通电阻极低
- 采用紧凑且散热增强型封装的集成共漏n沟道MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 优化双向电流流动的电路布局
应用领域
- 电池保护开关
- 双向开关
- 负载开关
- 24V系统
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