商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 11W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 446pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
商品特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤素
- N沟道MOSFET
应用领域
- 零电流开关谐振模式
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