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SIRB40DP-T1-GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 针对最低的RDS–Qoss品质因数进行调整。 RoHS合规。 Qgd/Qgs比 < 1，优化开关特性。 100%进行Rg和UIS测试。 无铅且无卤。应用：DC/DC转换器。 DC/AC逆变器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRB40DP-T1-GE3
- 商品编号
- C17611288
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.226克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 46.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 针对最低RDS - Qoss品质因数进行优化
- Qqd / Qgs比 < 1,优化开关特性
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
-DC/DC转换器-DC/AC逆变器-同步整流-电池和负载开关
- GCM1555G1H201FA16J
- SG-310SCF 12.8000MM0
- 627-015-320-249
- GCM188R72A822KA37D
- GD CSSRM2.14-ASAK-24-1-700-R33
- MAX66250ESA+T
- 516-090-542-300
- SI823H3CD-AS3R
- SG-8018CG 106.9200M-TJHSA0
- EVAL-ADCMP581BCPZ
- XHP50B-00-0000-0D00J20E5
- AWP-2SD
- SIT9003AIU13-18DO-50.00000Y
- BPRR00101051151K00
- SG-8018CE 78.7500M-TJHSA0
- 2009890110
- CMFA3435103FNT
- 2450FB15K0005001E
- 564-0200-805F
- PRV4F0GJS103MA
- SG-8018CG 21.6200M-TJHPA0