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SIRB40DP-T1-GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 针对最低的RDS–Qoss品质因数进行调整。 RoHS合规。 Qgd/Qgs比 < 1，优化开关特性。 100%进行Rg和UIS测试。 无铅且无卤。应用：DC/DC转换器。 DC/AC逆变器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRB40DP-T1-GE3
- 商品编号
- C17611288
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.226克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 46.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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