- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJB70EP-T1_BE3
2个N沟道 耐压:100V 电流:11.3A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJB70EP-T1_BE3
- 商品编号
- C17527637
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
应用领域
- 开关应用
- XG4U-1404
- TFPTL15L3300FL2B
- ZSS-112-04-S-D-765
- M80-5T12042MC
- ALD310704ASCL
- PTS0805M1B500RPU00
- 22-6625-10
- HSM92-044.2368M
- 3-87690-4
- SDP1100Q38CB
- 714-83-119-41-014101
- LTMM-110-01-S-D-SM-LC
- SXO32C3A481-24.000M
- 25QHM572C1.0-16.670
- 8-6609961-1
- 104068-4
- HTSS-105-01-L-D-09
- SIT1602BC-13-XXE-37.500000
- R4280F
- CTSFW1365F-2R8M
- FFA.2E.730.CNS