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IRLI640GPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:9.9A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料提供了高隔离能力，且在管片与外部散热器之间具有低热阻
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLI640GPBF
- 商品编号
- C17529952
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
CLF1G0035 - 100和CLF1G0035S - 100是采用第一代氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）技术的宽带通用100 W放大器。工作频率范围为直流至3.5 GHz。
商品特性
- 隔离封装
- 高压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 散热片到引脚的爬电距离 = 4.8 mm
- 逻辑电平栅极驱动
- 在 VGS = 4 V 和 5 V 时规定了 RDS(on)
- 快速开关
- 易于并联
应用领域
- 商用无线基础设施(蜂窝、全球微波互联接入)-工业、科学、医疗领域-雷达干扰器-宽带通用放大器-电磁兼容性测试-公共移动无线电