IRLI640GPBF

1个N沟道耐压:200V 电流:9.9A

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描述: 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料提供了高隔离能力，且在管片与外部散热器之间具有低热阻
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRLI640GPBF
商品编号: C17529952
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK 封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料提供了高隔离能力,以及引脚与外部散热器之间的低热阻。这种隔离效果相当于在标准 TO - 220 产品中使用 100 微米的云母屏障。FULLPAK 封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。

商品特性

隔离封装
高压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
散热片到引脚的爬电距离 = 4.8 mm
逻辑电平栅极驱动
在 VGS = 4 V 和 5 V 时规定了 RDS(on)
快速开关
易于并联

应用领域

商用无线基础设施(蜂窝、全球微波互联接入)-工业、科学、医疗领域-雷达干扰器-宽带通用放大器-电磁兼容性测试-公共移动无线电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	9.9A
	导通电阻(RDS(on))	270mΩ@4V
	耗散功率(Pd)	40W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	66nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.8nF
	反向传输电容(Crss)	120pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	400pF