SIZF300DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:23A 电流:34A 电流:75A 电流:141A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZF300DT-T1-GE3
- 商品编号
- C17532032
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 141A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF；3.15nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 集成肖特基二极管的SkyFET低端MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 采用3.3 mm×3.3 mm封装尺寸的内部连接半桥配置
应用领域
- CPU核心电源
- 计算机/服务器外设
- 负载点(POL)
- 同步降压转换器
- 电信DC/DC电源
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