SIZF300DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:23A 电流:34A 电流:75A 电流:141A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZF300DT-T1-GE3
- 商品编号
- C17532032
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 141A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF；3.15nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 集成肖特基二极管的SkyFET低端MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 采用3.3 mm×3.3 mm封装尺寸的内部连接半桥配置
应用领域
- CPU核心电源
- 计算机/服务器外设
- 负载点(POL)
- 同步降压转换器
- 电信DC/DC电源
- SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-E16
- FFSD-17-01-N
- 0705430112
- BPCF00070745681K00
- SIT8208AC-21-28S-60.000000
- 1030-3-17-80-32-27-02-0
- 1603961
- CTGSR74BF-100M
- TFM-110-22-L-D-A-P-TR
- 3QHM53C1.0-200.000
- 516-120-500-310
- DCME-13W6S-K126
- 3QHM572D4.0-33.33333
- 1731070102
- LA4510-E
- SIT1602BI-82-XXN-4.096000
- XPCGRN-L1-0000-00703
- 860-10/024
- B57256V5473J360
- GMA.1B.025.RA
- 628-47W1624-7TC