SIZ902DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:16A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZ902DT-T1-GE3
- 商品编号
- C17530385
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V,12.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 485pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 双N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 电机控制-电源管理功能
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