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SJMN60R15F
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- N沟道,600V,20A,150mA@10V
- 商品型号
- SJMN60R15F
- 商品编号
- C174338
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.893nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.181nF |
商品概述
UTC 4N70K-MT 是一款高压功率 MOSFET，具备快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高雪崩耐量等优良特性。这款高速开关功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效 DC-DC 转换器和桥式电路。
商品特性
- 漏源电压:VDS = 650 V(TJ = 150℃)
- 低漏源导通电阻:RDS(on) = 0.12 Ω(典型值)
- 超低栅极电荷:Qg = 62nC(典型值)
- 符合RoHS标准的器件
- 100%雪崩测试
应用领域
- 电源
- PWM 电机控制
- 高效 DC-DC 转换器
- 桥式电路
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