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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SJMN60R15F

1个N沟道 耐压:600V 电流:20A

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描述
N沟道,600V,20A,150mA@10V
商品型号
SJMN60R15F
商品编号
C174338
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
编带
商品毛重
2.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)32W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)2.893nF
反向传输电容(Crss)48pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)2.181nF

商品概述

UTC 4N70K-MT 是一款高压功率 MOSFET,具备快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高雪崩耐量等优良特性。这款高速开关功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效 DC-DC 转换器和桥式电路。

商品特性

  • 在栅源电压 (VGS) = 10 V、漏极电流 (ID) = 2.2 A 时,漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 3.2 Ω
  • 快速开关能力
  • 规定雪崩能量
  • 改善 dv/dt 能力,高耐用性

应用领域

  • 电源
  • PWM 电机控制
  • 高效 DC-DC 转换器
  • 桥式电路

数据手册PDF