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SMK1060F
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
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- 描述
- N沟道,600V,10A,750mA@10V
- 商品型号
- SMK1060F
- 商品编号
- C174337
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
NCE3401AY采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -4.4A
- 栅源电压（VGS） = -2.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 80 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 65 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -10V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 52 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理
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