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SMK1060F
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
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- 描述
- N沟道,600V,10A,750mA@10V
- 商品型号
- SMK1060F
- 商品编号
- C174337
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品概述
NCE3401AY采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 高电压:BV\textDSS = 600V(最小值)
- 低 C\textrss:C\textrss = 18 pF(典型值)
- 低栅极电荷:Qg = 35nC(典型值)
- 低 RDS(on):RDS(on) = 0.75 Ω(最大值)
应用领域
-办公及通信设备-测量设备-家用电器
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