APT38M50J

1个N沟道耐压:500V 电流:38A

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT38M50J
商品编号: C17422287
商品封装: SOT-227B-4
包装方式: 管装
商品毛重: 43.536克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。采用专有平面条纹设计,具备出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低 Crss“米勒”电容实现低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于控制开关期间的转换速率,即使在极高频率下进行开关操作,也能实现低电磁干扰 (EMI) 和可靠的并联。高雪崩能量能力增强了反激、升压、正激等电路的可靠性。

商品特性

快速开关,低 EMI/RFI
低 RDS(on)
超低 Crss,提高抗噪能力
低栅极电荷
具备雪崩能量额定值
符合 RoHS 标准

应用领域

PFC 及其他升压转换器
降压转换器
双开关正激(不对称桥)
单开关正激
反激
逆变器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	38A
	导通电阻(RDS(on))	100mΩ
	耗散功率(Pd)	357W
	阈值电压(Vgs(th))	5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	220nC@10V
	输入电容(Ciss)	8.8nF
	反向传输电容(Crss)	120pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	945pF