温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

APTC60TAM21SCTPAG

6个N沟道耐压:600V 电流:116A

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APTC60TAM21SCTPAG
商品编号: C17427184
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

最新沟槽功率AlphaMOS（αMOS LV）技术
在4.5 VGS下具有极低的导通电阻RDS(on)
低栅极电荷
ESD保护
符合RoHS标准且无卤

商品特性

-CoolMOSTM-超低导通电阻RDSon-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-非常坚固耐用-碳化硅并联肖特基二极管-零反向恢复-零正向恢复-开关特性与温度无关-正向压降VF具有正温度系数-开尔文源极,便于驱动-极低杂散电感-对称设计-用于电源连接的引线框架-高集成度-内置热敏电阻用于温度监测-氮化铝基板,提升热性能

应用领域

-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	116A
	导通电阻(RDS(on))	21mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	625W
	阈值电压(Vgs(th))	3.6V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	580nC@10V
	输入电容(Ciss)	13nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-40℃~+150℃
	配置	三相桥
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	720pF