商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.254nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.046nF |
商品特性
-CoolMOS™-超低导通电阻 RDSon-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-并联碳化硅肖特基二极管-零反向恢复-零正向恢复-与温度无关的开关特性-正向电压 VF 具有正温度系数-开尔文源便于驱动-极低的杂散电感-对称设计-用于电源连接的引线框架-用于温度监测的内部热敏电阻-高度集成
应用领域
-电机控制-开关模式电源-不间断电源
相似推荐
其他推荐