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APTM100H35FT3G实物图
  • APTM100H35FT3G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APTM100H35FT3G

4个N沟道 耐压:1kV 电流:22A

商品型号
APTM100H35FT3G
商品编号
C17426965
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)22A
导通电阻(RDS(on))420mΩ
耗散功率(Pd)390W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)186nC@10V
输入电容(Ciss)5.2nF
反向传输电容(Crss)160pF
工作温度-40℃~+150℃
配置半桥
类型-
输出电容(Coss)880pF

商品特性

  • 功率 MOS 7 型快恢复外延二极管场效应晶体管(FREDFET)
  • 低导通电阻(RDSon)
  • 低输入电容和米勒电容
  • 低栅极电荷
  • 快速本征反向二极管
  • 雪崩能量额定值
  • 坚固耐用
  • 开尔文源极,便于驱动
  • 极低的杂散电感
  • 内置热敏电阻用于温度监测
  • 高频运行时性能卓越
  • 可直接安装到散热器(隔离封装)
  • 低结到外壳热阻
  • 电源和信号引脚均可焊接,便于 PCB 安装
  • 低外形
  • 每条支路可轻松并联,实现电流能力翻倍的相支路
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 焊接转换器
  • 开关模式电源
  • 不间断电源
  • 电机控制

数据手册PDF