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BSP75GTA
1个N沟道 耐压:60V 电流:1.6A
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- 描述
- BSP75G是一款自保护型低端MOSFET。它具备单片式过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护的逻辑电平功能。该器件可用作通用开关
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSP75GTA
- 商品编号
- C173988
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 385mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
BSP75G是一款自保护型低侧MOSFET。它具备单片过热、过流、过压（有源钳位）和ESD保护的逻辑电平功能，旨在作为通用开关使用。
商品特性
- 带自动重启功能的短路保护
- 过压保护(有源钳位)
- 带自动重启功能的热关断
- 过流保护
- 输入保护(ESD)
- 负载突降保护(主动保护负载)
- 逻辑电平输入
- 高连续电流额定值
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 另有符合汽车应用标准的型号(BSP75GQ),其数据手册单独提供
应用领域
- 特别适用于具有高浪涌电流的负载,如灯具和电机
- 开关应用中的所有类型的电阻性、电感性和电容性负载
- 适用于12V和24V直流应用的与μC兼容的电源开关
- 符合汽车应用标准
- 可替代机电继电器和分立电路
- 线性模式能力 - 限流保护电路设计为在低VDS时停用,以免在正常运行期间影响负载电流。因此,最大直流工作电流由封装/电路板组合的散热能力决定,而非保护电路。