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DMC3061SVTQ-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3.4A 电流:2.7A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC3061SVTQ-13
- 商品编号
- C17398334
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.08W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 287pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
这款新一代MOSFET的设计旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60V，漏极电流（ID） = -13A
- 栅源电压（VGS） = -10V 时，导通电阻（RDS(ON)）为 100 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)）为 110 mΩ（典型值）
应用领域
-背光源-DC-DC转换器-电源管理功能
- 280-047S4-13W6MTN
- M83513/28-F02NW
- SIT1602BC-83-30N-8.192000
- LCA600-00-6
- SIT1602BC-21-33E-62.500000
- RF064PJ470CS
- SBS50BLU-BK
- CCHD-575-50-80.000
- SIT8208AC-81-28S-4.000000
- 662-037-364-000
- NTCG104KF104FT1
- 02310CNF-C
- 25QHM572C1.0-12.800
- UMF9NTR
- 627-47W1624-1N2
- 334-90-131-00-050000
- ZSS-110-06-S-D-980
- LCD2-14B-Q
- SIT1602BC-21-25N-24.576000
- SIT1602BC-33-30N-37.500000
- HTSS-120-01-G-D-01