- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN2024UVT-13
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2024UVT-13
- 商品编号
- C17401057
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 647pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-静电保护栅极-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能
- IHD1EB392L
- D4015L56TP
- 624-025-261-533
- MIKROE-3908
- VS-45APS16LHM3
- SIT1602BI-12-XXS-25.000000
- SIT1602BC-72-30N-33.330000
- 511FCA185M000AAGR
- DBMAM25ST
- SIT8008BI-22-33E-27.600000
- SIT8924BE-13-33E-33.333333
- TFM-135-22-S-D-A-K-TR
- 2-1123722-9
- 25QHM572D4.0-4.096
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- SFH213-PPKC-D06-ID-BK-M181
- MAX20331EWL+T
- CTCDRH124F-101M
- 3QHM53D1.0-24.57696
- SIT8008AC-23-33E-33.000000
- RCS1608F1074CS