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DMN67D8LDW-13
2个N沟道 耐压:60V 电流:230mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN67D8LDW-13
- 商品编号
- C17399016
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 410mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 821pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.1pF |
商品概述
这款MOSFET经过精心设计，可将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
-电机控制-电源管理功能
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