UMF9NTR
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- UMF9NTR
- 商品编号
- C17398357
- 商品封装
- TSSOP-6(SC-88)SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@2.5V,1mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
NPT1004氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）是一款针对直流至4 GHz工作频率优化的功率晶体管。该器件支持连续波（CW）、脉冲和线性工作模式，输出功率高达45 W。此晶体管采用行业标准的表面贴装塑料封装。
商品特性
- 针对直流至4 GHz的脉冲、全球微波互联接入（WiMAX）、宽带码分多址（W-CDMA）、长期演进技术（LTE）及其他低热负载应用进行优化
- 2.5 GHz性能表现
- 45 W P3dB连续波功率
- 13.5 dB小信号增益
- P3dB时效率达55%
- 100%射频测试
- 热增强型表面贴装小外形集成电路（SOIC）封装
- 高可靠性镀金工艺
- 受EAR99出口管制
- 符合RoHS标准
应用领域
- 陆地移动无线电
- 无线基础设施
- 工业、科学和医疗（ISM）频段
- 甚高频/超高频/L/S波段雷达
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