商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 8.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 在 18 GHz 时输出功率为 24 dBm
- 在 18 GHz 时小信号增益为 14 dB
- 在 18 GHz 时典型功率附加效率(PAE)为 45%
- 0.25×300 微米难熔金属/金栅极
- 非常适合中等功率、增益和高功率附加效率应用
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关
- DC/DC转换器
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