商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 在18 GHz时典型输出功率为28.5 dBm
- 在18 GHz时典型小信号增益为12 dB
- 在18 GHz时典型功率附加效率为45%
- 0.25 x 630微米难熔金属/金栅极
- 在功率、增益和高功率附加效率方面表现出色
应用领域
-商业应用
相似推荐
其他推荐