商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 325nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.03nF |
商品概述
适用于基站应用的350 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为617 MHz至960 MHz。
商品特性
- 功率 MOS 7 个 MOSFET
- 低导通电阻 (RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 额定雪崩能量
- 坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- M5 功率连接器
- 高度集成
应用领域
- 电机控制
- 开关模式电源
- 不间断电源