商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 325nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.03nF |
商品概述
适用于基站应用的350 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为617 MHz至960 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 较低的输出电容，可提升多尔蒂应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部集成宽带输入匹配，使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
- 617 MHz至960 MHz频率范围内基站和多载波应用的射频功率放大器