商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 3个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,24.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@3mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.5nF |
商品概述
ARF465A和465B是一对对称的共源极RF功率晶体管，专为高达60 MHz的推挽式科学、商业、医疗和工业RF功率放大器应用而设计。
商品特性
- 低成本共源极RF封装。
- 低阈值电压（Vth）温度系数。
- 低热阻。
- 优化的安全工作区（SOA），具备出色的耐用性。
应用领域
- 科学领域RF功率放大器应用
- 商业领域RF功率放大器应用
- 医疗领域RF功率放大器应用
- 工业领域RF功率放大器应用
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