- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
ARF1510是四个采用H桥配置的射频功率晶体管。它适用于高达40 MHz的高功率科学、医疗和工业射频功率发生器及放大器应用中的离线300V操作。
商品特性
- 高性能功率射频封装。
- 极高的击穿电压,增强耐用性。
- 低热阻。
- 采用氮化物钝化芯片,提高可靠性。
- 符合RoHS标准
应用领域
- 高功率科学射频功率发生器及放大器应用
- 高功率医疗射频功率发生器及放大器应用
- 高功率工业射频功率发生器及放大器应用
- RCS2012F4640CS
- EB171A-03-K
- BPSC00101151181T00
- SIT8208AC-G2-28E-16.368000X
- FW-15-05-L-D-355-100
- 09661136601
- NTHS1206N04N3303KE
- 660-031M13N-G
- BZH01/A0620/01
- FWLF-1519-7D-37-C
- 1246.3
- SIT9120AI-2D3-33S74.250000
- STMM-103-02-G-D-SM-TR
- 5505105004F
- XPEBWT-L1-0000-00DE4
- T720043504DN
- 660-013NF15S3-06
- HF1008R-271H
- 667-256-16
- SIT9365AI-4B1-33E153.600000
- 832-40-004-30-052000