商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
基于先进耐用技术（ART），这款1600 W LDMOS射频功率晶体管专为覆盖工业、科学和医疗（ISM）、广播和通信等广泛应用而设计。该非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至425 MHz。
商品特性
- 高性能功率射频封装。
- 极高的击穿电压,增强耐用性。
- 低热阻。
- 采用氮化物钝化芯片,提高可靠性。
- 符合RoHS标准
应用领域
- 高功率科学射频功率发生器及放大器应用
- 高功率医疗射频功率发生器及放大器应用
- 高功率工业射频功率发生器及放大器应用
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