商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
基于先进耐用技术（ART），这款1600 W LDMOS射频功率晶体管专为覆盖工业、科学和医疗（ISM）、广播和通信等广泛应用而设计。该非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至425 MHz。
商品特性
- 高击穿电压支持在VDS = 48 V时进行E类操作
- 适用于VDS = 50 V和55 V
- 最高可在VDS = 55 V下通过认证
- 在30 V至55 V范围内进行特性表征，以扩展功率范围
- 易于进行功率控制
- 集成双面ESD保护，支持C类操作并可完全关断晶体管
- 具备出色的耐用性，无器件性能退化问题
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作而设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子发生器
- 磁共振成像（MRI）系统
- 二氧化碳（CO2）激光器
- 粒子加速器
- 广播
- 调频（FM）广播
- 甚高频（VHF）电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频（UHF）雷达
相似推荐
其他推荐