- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
VRF141是一款采用镀金工艺的硅N沟道射频功率晶体管,专为宽带商业应用设计,在不影响可靠性、耐用性或互调失真的前提下,可提供高功率和高增益。
商品特性
- 增强耐用性,V(BR)DSS = 80 V
- 在30MHz、28V条件下,输出功率150W,典型增益22dB
- 在175MHz、28V条件下,输出功率150W,典型增益13dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 可提供配对产品
- 在规定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)能力达30:1
- 采用氮化钝化工艺
- 难熔镀金工艺
- 可替代高电压MRF141
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥接电路
- 1-103669-5
- SPMWHD32AMD7XATKS0
- LCDX2-56D-E
- 2016480053
- 1053103508
- 7E50-B316-04
- BXFN-57G-11L-3C3-00-0-3
- 660-024MT15F5-308
- 4-640427-5
- SIT9365AI-2E1-33N62.500000
- 629-21W1240-5T3
- 3-647479-7
- SIT8918BE-21-33E-38.400000
- S218025T-16.000-R
- JANS1N6318C
- AD8280-EVALZ
- 0280-2-17-15-06-14-02-0
- 5-2367196-0
- 3130-50-0102-00
- SIT1602BI-83-28N-4.000000
- SIT1602BC-72-25E-6.000000