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VRF141

1个N沟道

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: VRF141
商品编号: C17342756
包装方式: 盒装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

这款高压MOSFET采用先进的终端方案，可在不随时间降低性能的情况下增强耐压能力。此外，这款先进的功率MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新型节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥接电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。

商品特性

增强耐用性,V(BR)DSS = 80 V
在30MHz、28V条件下,输出功率150W,典型增益22dB
在175MHz、28V条件下,输出功率150W,典型增益13dB
出色的稳定性和低互调失真
共源极配置
可提供配对产品
在规定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)能力达30:1
采用氮化钝化工艺
难熔镀金工艺
可替代高电压MRF141
符合RoHS标准

应用领域

-电源-转换器-PWM电机控制-桥接电路

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	-

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	300W
	阈值电压(Vgs(th))	4.4V
	栅极电荷量(Qg)	-
	类型	N沟道